НИИТФА

НИИТФА

Акционерное общество «Научно-исследовательский институт технической физики и автоматизации» - предприятие контура АО «Русатом Хэлскеа» Госкорпорации «Росатом» - было основано 6 октября 1960 г. На момент создания институт назывался Всесоюзный научно-исследовательский институт радиационной техники – ВНИИРТ и являлся головной организацией в области разработки и создания радиационной техники. В настоящее время НИИТФА является научно-производственным объединением и выступает в качестве головного исполнителя по НИОКР, выполняемым по ряду федеральных и отраслевых программ, в том числе в рамках Федеральных целевых программ.

+7 (495) 730-80-10

kancelaria@niitfa.ru

http://niitfa.ru/

Направления деятельности предприятия:

• Ядерная медицина: разработка и изготовление аппаратов для брахитерапии серии АГАТ; разработка автоматизированных модулей синтеза радиофармпрепаратов для ПЭТ-томографии, синтез радиофармпрепаратов, контроль их качества. Разработка и выпуск клинических дозиметров для лучевой терапии. Ведется НИОКР по созданию первого отечественного ПЭТ/КТ-томографа, разработан макет ПЭТ-сканера.
• Радиационные технологии: разработка и изготовление радиационно-технологических установок на источнике Со-60 и ускорителях электронов.
• Аналитические приборы и системы: рентгено-флуоресцентные приборы, оборудование для гамма-активационного и нейтронного анализа состава вещества, концентратомеры бора для АЭС.
• Контрольно-измерительные приборы: датчики вида материала, приборы технологического контроля уровня жидких и сыпучих материалов, влагомеры и влагоплотномеры.
• Радионуклидная энергетика: разработка и изготовление радиоизотопных термоэлектрических генераторов (РИТЭГ).
• Газоразрядные детекторы ионизирующих излучений и подвески ионизационных камер.
• Высокотемпературная сверхпроводимость: разработаны и проходят сертифицикацию сверхпроводниковые ограничители токов короткого замыкания, создана уникальная технологическая линия оборудования для выпуска длинномерных металлических лент-подложек с текстурированным оксидным покрытием для производства высокотемпературных сверхпроводников 2-го поколения (ВТСП-2) длиной до 1000 м.